輔仁大學
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記錄編號6433
狀態NC094FJU00198015
助教查核
索書號
學校名稱輔仁大學
系所名稱物理學系
舊系所名稱
學號493326051
研究生(中)支劭祺
研究生(英)S. C. Chib
論文名稱(中)以end-Hall型離子源輔助蒸鍍硒化鋅薄膜之光學測量研究
論文名稱(英)The optical properties of ZnSe thin film deposited by thermal evaporation with end-Hall ion-beam assistance
其他題名
指導教授(中)徐進成
指導教授(英)J. C. Hsu
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校外全文開放日期
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國圖全文開放日期.
檔案說明
電子全文
學位類別碩士
畢業學年度94
出版年
語文別中文
關鍵字(中)硒化鋅 螢光效應 消光係數 離子源輔助 堆積密度
關鍵字(英)Zinc Selenide photoluminescence extinction coefficient ion-beam assisted deposition (IAD) packing density
摘要(中)ZnSe薄膜為一高折射率材料,且應用在多層膜方面,加入離子源輔助鍍膜後,研究離子源對光學特性所造成的影響。在未加熱的玻璃基板上,蒸鍍ZnSe薄膜,並加以不同的離子電壓輔助鍍膜,探討以不同離子電壓輔助鍍膜後的折射率、消光係數、堆積密度、薄膜穿透率、螢光效應等等。而離子源所使用的能量分別為20 V,30 V,40 V,藉由這些參數的控制,去找出擁有最好光學特性薄膜的離子源參數。
摘要(英)Zinc Selenide thin film is a high refractive index material therefore it is used in the application of multilayer coatings. The influence on the optical properties of Zinc Selenide thin films fabricated by ion-beam assisted deposition (IAD) was investigated in this study. Zinc Selenide thin films were deposited on unheated glass substrates by means of thermal evaporation with different ion-beam voltage, V. The refractive index, extinction coefficient, packing density, transmittance, and photoluminescence were measured and correlated closely to the applied ion-beam energies. Through IAD technique, it was demonstrated that the optical properties can be tailored by using different ion-beam voltages 20 V, 30 V, and 40 V, respectively.
論文目次中文摘要 i 英文摘要 ii 目錄 iii 圖目錄 v 表目錄 vii 第一章 緒論 1  1-1 前言 1 1-2 ZnSe材料特性 2 第二章 實驗原理及實驗儀器 3  2-1 製鍍原理 3   2-1-1 物理氣相沉積法 3   2-1-1-1 熱電阻加熱法 3   2-1-1-2 電子槍蒸鍍法 4   2-1-2 膜的生長 7  2-2 End-Hall離子源 8  2-3 能隙 9  2-4 實驗儀器 11   2-4-1 真空系統儀器 11 2-4-2 熱電阻蒸鍍與離子輔助系統 11 2-4-3 石英監控器 14 2-4-4 實驗架設 15 第三章 實驗量測儀器 16  3-1 Varian Cary 5E光譜儀 16  3-2 包絡法 18  3-3 橢圓偏振儀 20 3-4 X-ray 繞射儀(XRD) 23  3-5 螢光光譜儀 25 第四章 實驗結果與討論 29  4-1 實驗參數 29  4-2 ZnSe薄膜之穿透光譜分析 30  4-3 ZnSe薄膜之折射率和消光係數分析 31   4-3-1 折射率分析 33   4-3-2 消光係數分析 35  4-4 堆積密度分析 37  4-5 結晶性分析 39 4-6 能隙躍遷分析 42  4-7 螢光光譜分析 45  4-8 Energy gap分析 49 第五章 結論 54 參考文獻 56
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論文頁數58
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